一种栅极及其形成方法
- 申请号：CN201510048272.3
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN105990403A
- 公开(公开)日：2016.10.05
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种栅极及其形成方法 | ||
| 申请号 | CN201510048272.3 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN105990403A | 公开（授权）日 | 2016.10.05 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 张青竹;殷华湘;闫江;李俊峰;杨涛;刘金彪;徐秋霞 |
| 主分类号 | H01L29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/10(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种栅极及其形成方法 至一种栅极及其形成方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供了一种栅极的形成方法，包括：在栅介质层上形成单层且掺杂的金属功函数调节层，以使得目标功函数介于金属功函数层与掺杂的粒子的功函数之间；在金属功函数调节层上形成其他栅极层。该方法易于进行阈值电压的调节，且工艺简单，无需通过多层金属栅极来实现，降低了制造成本。 | ||
交易流程
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专利 -
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可交易 - 03 签订合同
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平台保障
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