专利详情

专利名称	一种用于半导体快速退火的加热装置及控制方法
申请号	CN201510101238.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105990188A	公开（授权）日	2016.10.05
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	董旭;崔志国;熊敏;李华
主分类号	H01L21/67(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/67(2006.01)I;H03K3/017(2006.01)I
专利有效期	一种用于半导体快速退火的加热装置及控制方法至一种用于半导体快速退火的加热装置及控制方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种用于半导体快速退火的加热装置及控制方法，包括电源模块、整流滤波模块、IGBT模块、PWM信号驱动模块、加热灯管组和计算机控制系统；所述电源模块与所述整流滤波模块连接；其中，IGBT模块包含输入端口、控制端口和输出端口，整流滤波模块连接IGBT模块的输入端口，PWM信号驱动模块连接IGBT控制端口，通过计算机控制系统控制PWM信号驱动模块，用于控制IGBT导通与关闭时间，从而调节加热灯管的加热功率；加热灯管组连接到IGBT输出端口，用于装置加热。本发明提供的一种用于半导体快速退火的加热装置及控制方法，可以有效地抑制了在快速升温过程中出现的过冲现象，实现稳定升温，同时避免频闪带来加热的不稳定性，实现延长灯管使用寿命的目的。