专利详情

专利名称	碳量子点负载的SnS₂纳米片、其制备方法及应用
申请号	CN201610293108.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105964276A	公开（授权）日	2016.09.28
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	何军;程中州
主分类号	B01J27/04(2006.01)I	IPC主分类号	B01J27/04(2006.01)I;C01B13/02(2006.01)I
专利有效期	碳量子点负载的SnS₂纳米片、其制备方法及应用至碳量子点负载的SnS₂纳米片、其制备方法及应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种碳量子点负载的SnS₂纳米片、其制备方法及应用，属于无机半导体纳米材料技术领域。本发明通过将SnS₂纳米片浸入碳源的溶液中，然后用高温裂解法在SnS₂纳米片表面生成C量子点，制备得到碳量子点负载的SnS₂纳米片，生成的碳量子点负载的SnS₂纳米片之间联络成纳米墙，C量子点大小5～20nm，利用C量子点附着的方法避免了光解水过程中的氧化腐蚀，同时提升了催化剂效率，以KIO₃为牺牲剂，制氧速率到达了1.1mmol/g·h。本发明的方法具有制备工艺简单、操作方便、速度快以及绿色环保的优点，制备过程中不使用和产生毒性与腐蚀性的气体，具有广阔的应用前景。

交易流程

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