一种神经电极结构及其制造方法
- 申请号：CN201610362314.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN105963857A
- 公开(公开)日：2016.09.28
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种神经电极结构及其制造方法 | ||
| 申请号 | CN201610362314.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN105963857A | 公开（授权）日 | 2016.09.28 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 李俊杰;赵超;杨涛;李洪革 |
| 主分类号 | A61N1/05(2006.01)I | IPC主分类号 | A61N1/05(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种神经电极结构及其制造方法 至一种神经电极结构及其制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明提供一种神经电极结构的制造方法，包括：提供衬底；刻蚀衬底以形成凹面和凸面相间的凹凸区域，凸面为凸条或凸台；在凹凸区域的表面上形成绝缘层；在绝缘层的表面上形成凹凸的第一电极。该方法将电极形成在凹凸区域上，形成三维的神经电极结构，在植入人体后使得植入式的神经电极具有更大的比表面积，增加了电极的电荷捕获能力，进而提高电极灵敏度、集成度以及空间分辨率。 | ||
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