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聚二甲基硅氧烷的用途、荧光薄膜及其制备方法

  • 申请号:CN201610348819.6
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
  • 公开(公开)号:CN105968812A
  • 公开(公开)日:2016.09.28
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 聚二甲基硅氧烷的用途、荧光薄膜及其制备方法
申请号 CN201610348819.6 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN105968812A 公开(授权)日 2016.09.28
申请(专利权)人 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 发明(设计)人 郝鹏;冯宇祥;吴一辉
主分类号 C08L83/04(2006.01)I IPC主分类号 C08L83/04(2006.01)I;C08K5/01(2006.01)I;C08K5/3465(2006.01)I;C08J5/18(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I
专利有效期 聚二甲基硅氧烷的用途、荧光薄膜及其制备方法 至聚二甲基硅氧烷的用途、荧光薄膜及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供了一种聚二甲基硅氧烷在制备荧光薄膜中的应用。与现有技术相比,本发明以聚二甲基硅氧烷作为荧光染料的溶剂及成膜基质,聚二甲基硅氧烷的紫外透过率较好,可与融石英玻璃基片形成单层减反射膜结构,增加光谱的透过率,且聚二甲基硅氧烷化学性质稳定,在使用之前即为液态胶体,80℃加热一小时即可固化,因此在制备过程及成膜后都十分安全、稳定,同时也可长期保持荧光薄膜的特性。

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