专利详情

专利名称	一种金属元素Mg掺杂的VO₂薄膜及其制备方法
申请号	CN201610417173.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105937019A	公开（授权）日	2016.09.14
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	王盼盼;章俞之;张云龙;彭明栋;吴岭南;宋力昕
主分类号	C23C14/08(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/08(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I
专利有效期	一种金属元素Mg掺杂的VO₂薄膜及其制备方法至一种金属元素Mg掺杂的VO₂薄膜及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种金属元素Mg掺杂的VO₂薄膜及其制备方法，所述金属元素Mg掺杂的VO₂薄膜具有无规律分布的纳米气孔且主相为单斜相，晶面取向为（011）晶面，晶粒尺寸为90?nm～165?nm。本发明的有益效果是：将金属元素Mg均匀的掺入VO₂薄膜内，得到的掺杂VO₂薄膜表面有孔的产生，致密度减小，孔径大小随着Mg掺杂浓度的增加而减小，薄膜表面有孔产生，薄膜的致密度减小，且在可见?近红外波段的透过率增加，光的调制能力增强。

交易流程

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