场效应晶体管及存储记忆体
- 申请号：CN201820870458.6
- 专利类型：实用新型
- 申请（专利权）人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
- 公开(公开)号：CN208444843U
- 公开(公开)日：2019.01.29
- 法律状态：
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专利详情
| 专利名称 | 场效应晶体管及存储记忆体 | ||
| 申请号 | CN201820870458.6 | 专利类型 | 实用新型 |
| 公开（公告）号 | CN208444843U | 公开（授权）日 | 2019.01.29 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 发明（设计）人 | 戴明志 |
| 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I |
| 专利有效期 | 场效应晶体管及存储记忆体 至场效应晶体管及存储记忆体 | 法律状态 | |
| 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种场效应晶体管及存储记忆体。所述场效应晶体管包括源极、漏极、沟道区、第一栅极和至少一第二栅极，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述第一栅极设置在沟道区上，且所述第一栅极与沟道区之间设置有介质层，所述至少一个第二栅极与所述沟道区配合形成用以存储电荷的结。较之现有技术，本实用新型提供的场效应晶体管结构更为简单，占用空间更少，且制作工艺步骤简化，可以与现有的晶体管制作工艺兼容，成本低廉，并且可以实现单器件存储器，因此在计算机等领域有广泛的应用前景。 | ||
交易流程
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专利 -
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