专利详情

专利名称	一种硼掺杂三氧化二铁光电极的制备方法
申请号	CN201710461659.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107326385A	公开（授权）日	2017.11.07
申请（专利权）人	中国科学院化学研究所	发明（设计）人	赵进才;刘阿楠;章宇超;宋文静;车延科;马万红;陈春城;籍宏伟
主分类号	C25B1/04(2006.01)I	IPC主分类号	C25B1/04(2006.01)I;C25B11/06(2006.01)I;C23C18/12(2006.01)I
专利有效期	一种硼掺杂三氧化二铁光电极的制备方法至一种硼掺杂三氧化二铁光电极的制备方法	法律状态	著录事项变更
说明书摘要	本发明公开了一种硼掺杂的三氧化二铁光电极的制备方法，包含如下步骤：步骤(1):将三氯化铁、硝酸钠和去离子水混合，并将氟掺杂氧化锡(FTO)放入上述混合溶液中进行反应，得到表面沉积有β?FeOOH的FTO；步骤(2):将步骤(1)的表面沉积有β?FeOOH的FTO在硼砂溶液中浸泡后取出，在400?800℃下煅烧，得到表面沉积了硼掺杂三氧化二铁的FTO。本发明方法简单，易于操作，成本低廉，形貌均一，所得产品光电性能远优于常规光电极，在催化、光电催化水氧化等领域有较好的应用前景。并且应用本方法制备得到的光电极光生电子和空穴分离效率高，具有良好的光电催化活性，其水氧化光电流可达1.05mA/cm²。