专利详情

专利名称	一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法
申请号	CN201710304778.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107146834A	公开（授权）日	2017.09.08
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	宋禹忻;朱忠赟珅;李耀耀;韩奕;张振普;张立瑶;王庶民
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;B82Y40/00(2011.01)I;C09K11/66(2006.01)I
专利有效期	一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法至一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种面内Ge纳米线发光材料的制备方法，目的在于解决既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺的发光材料，其包括如下步骤：在单晶硅衬底上外延生长预制的过渡晶体单元，且顶层材料的晶格常数大于Ge材料；在所述预制的过渡晶体单元上外延生长Ge量子点；通过高温原位退火使离散的所述Ge量子点通过定向扩散汇聚成面内的Ge纳米线。本发明通过将现有的CMOS工艺相兼容Ge材料转化为直接带隙，实现了既能够直接带隙发光又能够兼容现有的CMOS工艺。