专利详情

专利名称	高质量超薄六方NiPS₃纳米片及其大面积制备方法
申请号	CN201710427138.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107117659A	公开（授权）日	2017.09.01
申请（专利权）人	国家纳米科学中心	发明（设计）人	何军;王枫梅
主分类号	C01G53/00(2006.01)I	IPC主分类号	C01G53/00(2006.01)I;C01B25/08(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I
专利有效期	高质量超薄六方NiPS₃纳米片及其大面积制备方法至高质量超薄六方NiPS₃纳米片及其大面积制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及高质量超薄六方NiPS₃纳米片及其大面积制备方法，属于无机半导体纳米材料技术领域，主要采用了两步化学气相反应方法。首先通过水热合成的方法在不同的基底表面生长Ni(OH)₂纳米片，然后将其加热至450?470℃与同时加热升华的硫粉和磷粉发生化学反应，最终得到超薄的六方NiPS₃纳米片，得到的六方NiPS₃纳米片厚度约为3?5nm，横向尺寸约为10?20μm。本发明所述方法制备工艺简单，操作便捷且成本低，具有广阔的应用前景。

交易流程

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2、平台验证，实名审核

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4、专员跟进，交易保障

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