专利详情

专利名称	基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪
申请号	CN201820702525.3	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN208155458U	公开（授权）日	2018.11.27
申请（专利权）人	中国科学院西安光学精密机械研究所	发明（设计）人	杨阳;曹伟伟;王博;白永林;秦文强;陈震;徐鹏;朱炳林;缑永胜;高佳瑞;白晓红;秦君军
主分类号	G01J3/28(2006.01)I	IPC主分类号	G01J3/28(2006.01)I;G01J3/00(2006.01)I;G02B1/00(2006.01)I
专利有效期	基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪至基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪	法律状态
说明书摘要	本实用新型涉及一种基于紫外电子轰击有源像素传感器的紫外成像仪，解决了现有紫外成像仪灵敏度低、噪声大、成本高、结构复杂、体积重量较大等问题。该紫外成像仪包括光机系统、紫外电子轰击有源像素传感器、高压选通脉冲模块、读出电子学系统、图像处理与控制系统；光机系统包括成像镜头和滤波片；高压选通脉冲模块分别与紫外电子轰击有源像素传感器、图像处理与控制系统连接；读出电子学系统分别与紫外电子轰击有源像素传感器、图像处理与控制系统连接；紫外电子轰击有源像素传感器包括阴极窗口、紫外光电阴极、管壳和背照式CMOS芯片；紫外光电阴极设置在阴极窗口的内表面；背照式CMOS芯片设置在管壳内部。