专利详情

专利名称	一种波长可调谐的半导体激光器
申请号	CN201820961895.9	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN208284785U	公开（授权）日	2018.12.25
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	林中晞;林琦;徐玉兰;陈景源;钟杏丽;朱振国;薛正群;苏辉
主分类号	H01S5/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/06(2006.01)I;H01S5/10(2006.01)I
专利有效期	一种波长可调谐的半导体激光器至一种波长可调谐的半导体激光器	法律状态
说明书摘要	本实用新型涉及一种波长可调谐的半导体激光器，包括：由下至上形成的下分离限制层、下波导层、有源层、上波导层和上分离限制层；其中，下波导层、有源层和上波导层构成半导体激光器的光限制层中心区域，下分离限制层和上分离限制层构成半导体激光器的包层；上波导层或下波导层包括脊波导和微腔，微腔位于脊波导的一侧。本实用新型提供的波长可调谐的半导体激光器，利用电调制脊波导的饱和吸收区产生的增益杠杆效应，能够增大半导体激光器的3dB带宽，实现高速调制。本实用新型提出的半导体激光器还利用半导体激光器侧边上的微腔结构，实现对半导体激光器波长的选择性输出。