专利详情

专利名称	窄禁带半导体中少数载流子空间分布的测量装置
申请号	CN201820500321.1	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN208224427U	公开（授权）日	2018.12.11
申请（专利权）人	中国科学院上海技术物理研究所	发明（设计）人	李天信;谢天;夏辉;童中英;陆卫
主分类号	G01R31/26(2014.01)I	IPC主分类号	G01R31/26(2014.01)I;G01Q60/46(2010.01)I
专利有效期	窄禁带半导体中少数载流子空间分布的测量装置至窄禁带半导体中少数载流子空间分布的测量装置	法律状态
说明书摘要	本专利公开了一种窄禁带半导体中少数载流子空间分布的测量装置，该装置中包括试样表面处理模块，低温扫描电容显微测量模块，微分电容测量控制模块和红外光激发模块。待测材料在试样表面处理腔中经处理后，输送至低温扫描电容显微测量真空腔中的低温试样台上，分别在红外光激发和暗背景条件下进行微分电容显微分布的测量，最后将测得的微分电容信号差值，得到由光激发少数载流子引起的微分电容信号分布。本专利适用于多数窄禁带半导体材料，能够在接近工作状态下实现对材料中少数载流子分布的灵敏测量，空间分辨率足以解析红外光电功能结构中PN结等关键区域，对评估半导体材料特性、预测和优化器件性能有重要的意义。