专利详情

专利名称	一种用于射频前端制冷杜瓦的多层聚酰薄膜真空窗结构
申请号	CN201820597714.9	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN208111647U	公开（授权）日	2018.11.16
申请（专利权）人	中国科学院国家天文台	发明（设计）人	金乘进;曹洋;石向玮
主分类号	H01P1/08(2006.01)I	IPC主分类号	H01P1/08(2006.01)I
专利有效期	一种用于射频前端制冷杜瓦的多层聚酰薄膜真空窗结构至一种用于射频前端制冷杜瓦的多层聚酰薄膜真空窗结构	法律状态
说明书摘要	本实用新型公开了一种用于射频前端制冷杜瓦的多层聚酰亚胺薄膜真空窗结构，所述多层聚酰亚胺薄膜真空窗结构包括若干层聚酰亚胺薄膜，相邻的所述聚酰亚胺薄膜之间设置有法兰，所述法兰以及真空窗的窗口与聚酰亚胺薄膜的接触面均设置有O型密封圈容置槽，所述O型密封圈容置槽内设置有O型密封圈。本申请与传统的单层聚酰亚胺薄膜以及薄膜与泡沫组合的技术方案相比，在多层聚酰亚胺薄膜真空窗的技术方案中，相邻腔体内部的压强差小于一个大气压，使得腔体之间的薄膜变形量减小，从而使得使用薄膜的可靠性和寿命得到提高。