专利详情

专利名称	一种电磁辐射屏蔽结构
申请号	CN201721494150.8	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN208159118U	公开（授权）日	2018.11.27
申请（专利权）人	中国科学院西安光学精密机械研究所	发明（设计）人	王超;白永林;王屹山;赵卫;田进寿
主分类号	H05K9/00(2006.01)I	IPC主分类号	H05K9/00(2006.01)I;B32B15/085(2006.01)I;B32B27/20(2006.01)I;B32B15/04(2006.01)I;B32B17/06(2006.01)I;B32B33/00(2006.01)I
专利有效期	一种电磁辐射屏蔽结构至一种电磁辐射屏蔽结构	法律状态
说明书摘要	本实用新型提出一种电磁辐射屏蔽结构，能够实现对外来电磁辐射的宽频带、高效率屏蔽。该电磁辐射屏蔽结构包括自下向上依次设置的支撑层、金属层以及纳米复合层；金属层的厚度大于待屏蔽电磁辐射的穿透深度，金属层的厚度大于或等于基底的厚度；纳米复合层的主体为基底，其中填充有金属纳米颗粒，金属纳米颗粒的体填充因子在5～30％范围，金属层和纳米复合层的厚度以及材料配置满足电磁辐射在微结构中的等离激元自约束效应。本实用新型的这种叠层式纳米结构，通过电磁辐射在微结构中的等离激元自约束效应，可实现对外来电磁辐射的宽频带、高效率屏蔽。