专利详情

专利名称	减小大尺寸反应烧结碳化硅内应力的工艺
申请号	CN201711020462.X	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN107903068A	公开（授权）日	2018.04.13
申请（专利权）人	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	发明（设计）人	董斌超;张舸;张学军;崔聪聪;曹琪;包建勋
主分类号	C04B35/573(2006.01)I	IPC主分类号	C04B35/573(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
专利有效期	减小大尺寸反应烧结碳化硅内应力的工艺至减小大尺寸反应烧结碳化硅内应力的工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种减小大尺寸反应烧结碳化硅内应力的烧结工艺，包括如下步骤：提供一真空烧结炉，真空烧结炉设有多组加热器，待烧结的坯体置于多组加热器中间；用碳化硅粉通过凝胶注模工艺并脱脂制成碳化硅素坯；将一定质量的硅放到碳化硅素坯试样上，然后一起放入真空烧结炉中按照设定的程序进行烧结，本发明通过控制硅的凝固方向，减小反应烧结碳化硅坯体内因硅的凝固膨胀而产生的内应力。该工艺可以使硅凝固时的体积膨胀不会集中到坯体某一部分，而且体积膨胀有释放的通道，即硅的凝固膨胀不受约束，消除其在坯体内产生的应力。