专利详情

专利名称	一种全光固态超快光探测器的制备方法
申请号	CN201710058864.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106935681A	公开（授权）日	2017.07.07
申请（专利权）人	中国科学院西安光学精密机械研究所	发明（设计）人	曹伟伟;王博;徐鹏;白永林;白晓红;朱炳利;缑永胜;秦君军;刘白玉
主分类号	H01L31/18(2006.01)I	IPC主分类号	H01L31/18(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I;H01L31/0735(2012.01)I;H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/0232(2014.01)I
专利有效期	一种全光固态超快光探测器的制备方法至一种全光固态超快光探测器的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明属于超快诊断技术和半导体技术领域，具体涉及一种全光固态超快光探测器的制备方法，其特殊之处在于：包括以下步骤：1)在GaAs衬底上生长腐蚀停层，然后在腐蚀停层上低温生长2?5um的低温GaAs作为功能材料层，所述GaAs衬底、腐蚀停层和功能材料层共同组成外延片；2)在外延片的功能材料层上蒸镀多层介质膜作为上DBR；3)在石英基片上旋涂紫外固化胶，然后将镀完上DBR的外延片倒扣在带胶的石英基片上；4)将GaAs衬底逐渐减薄，直至使GaAs衬底消失并露出腐蚀停层；5)在露出的腐蚀停层上镀多层介质膜作为下DBR。主要解决了全光固态超快光探测器制作难度高的问题。