专利详情

专利名称	一种超导强场磁控溅射阴极的绝缘绝热和密封结构
申请号	CN201710073591.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106801217A	公开（授权）日	2017.06.06
申请（专利权）人	中国科学院电工研究所	发明（设计）人	邱清泉;汪天龙;屈飞;靖立伟;张国民;肖立业
主分类号	C23C14/35(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/35(2006.01)I;C23C14/56(2006.01)I;F16J15/10(2006.01)I;F16L59/065(2006.01)I
专利有效期	一种超导强场磁控溅射阴极的绝缘绝热和密封结构至一种超导强场磁控溅射阴极的绝缘绝热和密封结构	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种超导强场磁控溅射阴极的绝缘绝热和密封结构，包括超导线圈(1)、磁轭、玻璃钢垫片(5、6)、杜瓦、玻璃钢套管(10)、大四氟垫圈(11)、不锈钢垫圈(12)、小四氟垫圈(13)及阴极托架(14)；超导线圈(1)与杜瓦端盖(7)和底磁轭(4)之间用玻璃钢垫片(5、6)支撑和绝缘，杜瓦底座(8)采用真空夹层结构或填充发泡材料以降低热损耗；杜瓦底座(8)和不锈钢垫圈(12)之间采用大四氟垫圈(11)配合密封圈密封和绝缘，大四氟垫圈(11)、不锈钢垫圈(12)、小四氟垫圈(13)和杜瓦底座(8)之间采用玻璃钢螺栓或带玻璃钢绝缘套管的金属螺栓紧固；不锈钢垫圈(12)和阴极托架(14)之间采用密封圈密封并用普通金属螺栓紧固。