专利详情

专利名称	一种高比表面钽电容器阳极钽箔及其制备方法
申请号	CN201710078353.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106847511A	公开（授权）日	2017.06.13
申请（专利权）人	中国科学院合肥物质科学研究院	发明（设计）人	王振洋;张淑东;李年;张忠平;赵婷婷;江海河
主分类号	H01G9/048(2006.01)I	IPC主分类号	H01G9/048(2006.01)I;H01G9/00(2006.01)I
专利有效期	一种高比表面钽电容器阳极钽箔及其制备方法至一种高比表面钽电容器阳极钽箔及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种高比表面钽电容器阳极钽箔及其制备方法，是以不同厚度的钽片为主体材料，通过用能量高于可以改变钽金属表面结构的能量的激光照射其表面，在钽金属表面非常简单的获得分布均匀的微纳米级晶粒，从而有效地增加表面积。本发明采用的高比表面结构阳极钽箔可以做成任意形状的薄片状、卷绕式等，采用激光处理阳极钽箔，极大的增加表面积，使最终制成的钽电容器的容量会大幅提高，对阳极钽箔直接叠片或卷绕皆满足叠片式或卷绕式设计要求，更适合现代元器件对薄型化、高容量的需求。