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一种包含梁膜结构的单晶硅红外热堆结构及其制作方法

  • 申请号:CN201710031365.4
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院上海微系统与信息技术研究所
  • 公开(公开)号:CN106698331A
  • 公开(公开)日:2017.05.24
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种包含梁膜结构的单晶硅红外热堆结构及其制作方法
申请号 CN201710031365.4 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN106698331A 公开(授权)日 2017.05.24
申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 倪藻;李昕欣;李伟
主分类号 B81C1/00(2006.01)I IPC主分类号 B81C1/00(2006.01)I;B81B7/02(2006.01)I;G01J5/12(2006.01)I;H01L35/00(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I
专利有效期 一种包含梁膜结构的单晶硅红外热堆结构及其制作方法 至一种包含梁膜结构的单晶硅红外热堆结构及其制作方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供一种包含梁膜结构的单晶硅红外热堆结构及其制作方法,所述热堆结构主要包括红外吸收膜、多根单晶硅梁、以及形成于所述单晶硅梁上方的热电材料层等,单晶硅梁和热电材料层形成热偶对。其中,红外吸收膜悬浮于结构中央,热偶对环绕在红外吸收膜四周,热偶对一端与红外吸收膜相连、另一端与支撑膜相连,并通过支撑膜连接到衬底。本发明热堆结构采用单晶硅作为热偶材料,单晶硅具有塞贝克系数高、电阻率低的优点,可实现较高的灵敏度;另外,本发明利用单晶硅梁支撑悬浮的红外吸收膜,既满足了热堆的绝热性要求,同时也具有较高的结构强度;再者,本发明的热堆结构采用单硅片单面加工的方法制作而成,尺寸小,成本低,适合大批量生产。

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