专利详情

专利名称	GaN基半导体器件及其制作方法
申请号	CN201510752667.1	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106684213A	公开（授权）日	2017.05.17
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	严威;孙逸;冯美鑫;周宇;孙钱;杨辉
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01S5/343(2006.01)I
专利有效期	GaN基半导体器件及其制作方法至GaN基半导体器件及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种GaN基半导体器件及其制作方法。所述GaN基半导体器件包括硅衬底、以及形成于所述硅衬底上的外延层，所述外延层包括依次形成于所述硅衬底上的AlN成核层，AlGaN缓冲层以及GaN缓冲层。本发明采用介质膜做为掩膜层，通过调控介质层的周期数达到不同的效果，当周期数较大时可以做为限制层，能够有效减少光损耗，降低激光器和超辐射发光二极管的阈值电流；当周期数较小时做为界面层，与底部的AlGaN组成另一个光波导结构，形成平板耦合光波导激光器、超辐射发光二极管，可以得到形状较好的近圆光斑。