
六角MnNiGa中的斯格明子的调控方法
- 申请号:CN201610938945.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
- 公开(公开)号:CN106653262A
- 公开(公开)日:2017.05.10
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 六角MnNiGa中的斯格明子的调控方法 | ||
申请号 | CN201610938945.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106653262A | 公开(授权)日 | 2017.05.10 |
申请(专利权)人 | 中国科学院物理研究所 | 发明(设计)人 | 张颖;彭丽聪;王文洪;吴光恒;蔡建旺;沈保根 |
主分类号 | H01F1/01(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F1/01(2006.01)I;H01F13/00(2006.01)I |
专利有效期 | 六角MnNiGa中的斯格明子的调控方法 至六角MnNiGa中的斯格明子的调控方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明提供了一种六角MnNiGa中的斯格明子的调控方法,包括如下步骤:1)对六角MnNiGa施加磁场,其中所述磁场不足以使得所述六角MnNiGa中的条状磁畴转变为斯格明子,所述磁场的方向不平行所述六角MnNiGa的{001}晶面族;2)对所述六角MnNiGa施加电流或/和加热使其条状磁畴消失。本发明的调控方法在六角MnNiGa材料体系中形成了高密度的斯格明子阵列,且高密度的斯格明子在零场和宽温域室温下都能稳定存在。 |
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