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六角MnNiGa中的斯格明子的调控方法

  • 申请号:CN201610938945.7
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
  • 公开(公开)号:CN106653262A
  • 公开(公开)日:2017.05.10
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 六角MnNiGa中的斯格明子的调控方法
申请号 CN201610938945.7 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN106653262A 公开(授权)日 2017.05.10
申请(专利权)人 中国科学院物理研究所 发明(设计)人 张颖;彭丽聪;王文洪;吴光恒;蔡建旺;沈保根
主分类号 H01F1/01(2006.01)I IPC主分类号 H01F1/01(2006.01)I;H01F13/00(2006.01)I
专利有效期 六角MnNiGa中的斯格明子的调控方法 至六角MnNiGa中的斯格明子的调控方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供了一种六角MnNiGa中的斯格明子的调控方法,包括如下步骤:1)对六角MnNiGa施加磁场,其中所述磁场不足以使得所述六角MnNiGa中的条状磁畴转变为斯格明子,所述磁场的方向不平行所述六角MnNiGa的{001}晶面族;2)对所述六角MnNiGa施加电流或/和加热使其条状磁畴消失。本发明的调控方法在六角MnNiGa材料体系中形成了高密度的斯格明子阵列,且高密度的斯格明子在零场和宽温域室温下都能稳定存在。

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