专利详情

专利名称	一种调控镧钙锰氧薄膜磁性能的方法
申请号	CN201510736240.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106637161A	公开（授权）日	2017.05.10
申请（专利权）人	中国科学院上海硅酸盐研究所	发明（设计）人	董显林;薛粉;陈莹;王根水
主分类号	C23C20/08(2006.01)I	IPC主分类号	C23C20/08(2006.01)I
专利有效期	一种调控镧钙锰氧薄膜磁性能的方法至一种调控镧钙锰氧薄膜磁性能的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种调控镧钙锰氧薄膜磁性能的方法，所述方法包括：在硅衬底上，采用化学溶液沉积法制备镧钙锰氧薄膜，在溶液中掺入铁离子，通过调节铁离子的掺杂量，实现对镧锶锰氧薄膜磁性能的规律性调控。本发明制备的薄膜铁离子分布均匀、表面粗糙度低、无微裂纹，性能稳定，且具有较好的磁学性能，利用该调控方法制备的LCMO薄膜，可在较宽温度范围内改变其居里温度，这对于磁场传感器及磁电复合材料的研究有着重要的意义，在微波通信、信息、计算机、航空航天等领域有着潜在的重要应用前景。