专利详情

专利名称	一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋化合物、晶体及其制备方法和用途
申请号	CN201610896334.0	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106554326A	公开（授权）日	2017.04.05
申请（专利权）人	中国科学院福建物质结构研究所	发明（设计）人	罗军华;孙志华;张静;姬成敏;张伟川;李丽娜
主分类号	C07D295/027(2006.01)I	IPC主分类号	C07D295/027(2006.01)I;C07D295/023(2006.01)I;G01J1/42(2006.01)I
专利有效期	一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋化合物、晶体及其制备方法和用途至一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋化合物、晶体及其制备方法和用途	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种有机/无机杂化的半导体二环己亚铵溴化铋化合物、晶体及其制备方法和用途。该材料的化学式为(C₆H₁₂NH₂)₂BiBr₅，属于单斜晶系P2₁/n空间群。该晶体材料的吸收截止边长在430nm附近，在本征吸收光的激发下该晶体表现出良好的光电导性能，可以用于制作光电导探测器，在光电探测、集成光电功能器件等方面有着潜在的应用价值；本发明的合成制备方法实用性较强，路线简单，易于操作，无需复杂的生产设备，制造成本低，适用于批量生产。