
一种GaN?ZnO固溶体纳米线、其制备方法及用途
- 申请号:CN201611050179.7
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:国家纳米科学中心
- 公开(公开)号:CN106544729A
- 公开(公开)日:2017.03.29
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 一种GaN?ZnO固溶体纳米线、其制备方法及用途 | ||
申请号 | CN201611050179.7 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106544729A | 公开(授权)日 | 2017.03.29 |
申请(专利权)人 | 国家纳米科学中心 | 发明(设计)人 | 宫建茹;张凯;亚瑟·阿巴斯 |
主分类号 | C30B29/10(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B29/10(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C30B25/00(2006.01)I;C25B11/06(2006.01)I;C25B1/04(2006.01)I |
专利有效期 | 一种GaN?ZnO固溶体纳米线、其制备方法及用途 至一种GaN?ZnO固溶体纳米线、其制备方法及用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种GaN?ZnO固溶体纳米线、其制备方法及用途。本发明的固溶体纳米线的平均直径为50~150nm,长度为5~50μm,其中ZnO摩尔百分含量为15~95%。本发明的方法包括:将GaN、Ga2O3、和ZnO粉末混合装入一个容器,将ZnO和石墨粉末混合装入另一个容器,将这两个容器和衬底放入一端封口一端开口的小石英管,再把小石英管放入大石英管,抽真空、加热且通有载气和氨气,在衬底上生长得到固溶体纳米线。本发明的方法简单,反应参数易控,制备的GaN?ZnO固溶体纳米线尺寸均匀,结晶良好,作为催化剂应用于太阳能光催化分解水制氢的性能优异,最高产氢速率达到1.3mmol?h?1g?1。 |
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