专利详情

专利名称	基于激光直写工艺的量子结构的定位生长方法
申请号	CN201510486343.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106449897A	公开（授权）日	2017.02.22
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	黄荣;张子旸;李智;黄源清;张宝顺
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	基于激光直写工艺的量子结构的定位生长方法至基于激光直写工艺的量子结构的定位生长方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于激光直写工艺的量子结构的定位生长方法，包括应用激光直写工艺刻写刻蚀结构图形步骤：首先控制激光直写的曝光光斑沿光刻胶层的第一方向刻写，形成一行的曝光光斑，然后再逐行刻写，最终在光刻胶层上形成M行×N列的曝光光斑，其中，曝光光斑的直径为D，曝光光斑的步进均为d，并且；其中，在进行第i行至第i+m-1行的第j列至第j+n-1列的刻写时，关闭曝光光斑的功率形成未曝光区域，未曝光区域形成刻蚀结构图形，刻蚀结构图形沿行方向上的长度为L1，沿列方向上的长度为L2，并且，L1＝(m+1)×d-D，L2＝(n+1)×d-D，m和n的取值至少使得L1或L2的值小于曝光光斑的直径D。