专利详情

专利名称	一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器
申请号	CN201610973949.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106356716A	公开（授权）日	2017.01.25
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	刘震;王嘉琪;于红艳;周旭亮;李召松;王圩;潘教青
主分类号	H01S5/343(2006.01)I	IPC主分类号	H01S5/343(2006.01)I
专利有效期	一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器至一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种GaAs基带栅电极的宽光谱晶闸管激光器，涉及半导体光电子器件技术领域。本发明结合了传统激光器的PiN结构和传统晶闸管的PNPN结构，提出了以GaAs基的新型PNPiN结构晶闸管激光器，包括：量子阱有源区层、p型栅电极、GaAs隧道结等，通过在GaAs隧道结中引入超薄的重掺杂n型层与重掺杂p型层，结合量子阱有源区层结构，在保证器件稳定性获得高功率的同时实现了宽光谱的激射；同时，引入p型栅电极，更进一步增强了器件的可控性。