专利详情

专利名称	一种用于高温晶体生长的气体花洒装置
申请号	CN201510419537.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106337202A	公开（授权）日	2017.01.18
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	鞠涛;张立国;李哲;范亚明;张泽洪;张宝顺
主分类号	C30B25/14(2006.01)I	IPC主分类号	C30B25/14(2006.01)I;C30B29/36(2006.01)I
专利有效期	一种用于高温晶体生长的气体花洒装置至一种用于高温晶体生长的气体花洒装置	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明涉及一种用于高温晶体生长的气体花洒装置，包括：基座；若干喷管，所述若干喷管沿所述基座的轴向延伸并与所述基座气体连通；至少一层隔板，所述隔板上开设有与所述若干喷管对应的若干通孔5，所述隔板通过所述通孔5套设在所述喷管上。本发明设置的隔板能够有效的阻隔来自样品托和衬底附近的热辐射，使得花洒装置整体特别是喷管内外壁均达不到晶体外延生长的温度，这样就防止了花洒装置上生产晶体外延的可能性，保证了源气不消耗在花洒装置上，可以顺利到达衬底表面，同时也有效延长了花洒装置的使用寿命。