半导体器件的制造方法
- 申请号：CN201510351481.5
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN106328501A
- 公开(公开)日：2017.01.11
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 半导体器件的制造方法 | ||
| 申请号 | CN201510351481.5 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN106328501A | 公开（授权）日 | 2017.01.11 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 王桂磊;刘金彪;高建峰;李俊峰;赵超 |
| 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I |
| 专利有效期 | 半导体器件的制造方法 至半导体器件的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述衬底上具有去除伪栅后形成的开口；在开口中填充顶层金属层，顶层金属层具有压应力；对PMOS器件区域的顶层金属层，进行非晶化注入。本发明有利于提高NMOS器件的载流子迁移率，并能减小PMOS器件区域的压应力，保证PMOS器件性能。 | ||
交易流程
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