专利详情

专利名称	一种金属薄膜溅射的PVD设备及工艺
申请号	CN201510375208.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106319460A	公开（授权）日	2017.01.11
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	高建峰;唐兆云;殷华湘;李俊峰;赵超
主分类号	C23C14/34(2006.01)I	IPC主分类号	C23C14/34(2006.01)I;H01L21/285(2006.01)I
专利有效期	一种金属薄膜溅射的PVD设备及工艺至一种金属薄膜溅射的PVD设备及工艺	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种金属薄膜溅射的PVD设备及工艺，所述设备包括：与射频电源相连接的靶材、基座及侧置线圈，所述靶材以可自转的形式安装在溅射腔室的顶部，所述基座位于溅射腔室的底部，所述侧置线圈位于溅射腔室的侧壁，靶材与侧置线圈施加射频电源共同作用于惰性气体，产生等离子体。由于该设备增加了侧置线圈及与其相连接的射频电源，并通过调节惰性气体压力，提高了等离子体密度，结合PVD溅射的其他工艺参数，能形成电学性能良好，并且在沟槽表面覆盖效果良好的薄膜，可延续溅射沉积工艺应用到22纳米及以下技术的后栅工艺中。