
一种增强聚酰亚胺基底和导电金属层之间的粘附力的方法
- 申请号:CN201610716039.2
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院深圳先进技术研究院
- 公开(公开)号:CN106315505A
- 公开(公开)日:2017.01.11
- 法律状态:专利申请权、专利权的转移
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专利详情
专利名称 | 一种增强聚酰亚胺基底和导电金属层之间的粘附力的方法 | ||
申请号 | CN201610716039.2 | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106315505A | 公开(授权)日 | 2017.01.11 |
申请(专利权)人 | 中国科学院深圳先进技术研究院 | 发明(设计)人 | 孙滨;闫醒阳;吴天准 |
主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;A61F9/08(2006.01)I |
专利有效期 | 一种增强聚酰亚胺基底和导电金属层之间的粘附力的方法 至一种增强聚酰亚胺基底和导电金属层之间的粘附力的方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 |
说明书摘要 | 本发明提供了一种增强聚酰亚胺基底和金属层之间的粘附力的方法,所述方法是通过在聚酰亚胺薄膜表面构筑微纳结构,使得聚酰亚胺薄膜与金属导电层之间的粘附力得到很大提高,在后续的工艺中聚酰亚胺基底和Ti/Pt金属导电层之间不易剥离脱落,保证了微电极阵列的长期有效稳定植入。 |
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