专利详情

专利名称	基于Os衬底的外延结构及其制作方法
申请号	CN201510305662.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106299068A	公开（授权）日	2017.01.04
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	李宝吉;吴渊渊;陆书龙
主分类号	H01L33/32(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/32(2010.01)I;H01L33/06(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I
专利有效期	基于Os衬底的外延结构及其制作方法至基于Os衬底的外延结构及其制作方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种基于Os衬底的外延结构，其包括Os衬底和依次生长于Os衬底上的AlN过渡层、GaN缓冲层、非掺杂GaN层及InGaN/GaN多量子阱。其中，所述Os衬底以(100)面作为外延生长面，并且所述Os衬底的晶体外延取向关系为AlN[11?20]//Os[100]。本发明还公开了一种制作所述基于Os衬底的外延结构的方法。本发明提供的基于Os衬底的外延结构质量良好，特别是其中InGaN/GaN多量子阱的结晶质量好、光电性能好、缺陷少，且其制作方法简单易实施，成本低廉。