专利详情

专利名称	有机单晶薄膜晶体管及其制备方法
申请号	CN201510149241.7	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106159091A	公开（授权）日	2016.11.23
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	周春山;谢美兰;崔铮
主分类号	H01L51/05(2006.01)I	IPC主分类号	H01L51/05(2006.01)I;H01L51/30(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I
专利有效期	有机单晶薄膜晶体管及其制备方法至有机单晶薄膜晶体管及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种有机单晶薄膜晶体管，包括在基底上逐层形成的栅电极、绝缘层；间隔形成于绝缘层表面的源电极、漏电极；形成于绝缘层表面的修饰层及形成于修饰层表面且在源电极、漏电极之间的有源层，其中，有源层的材质为晶体取向一致的有机单晶薄膜。本发明还公开了其制备方法，包括步骤：A、在基底上逐层制备栅极、绝缘层，及间隔设置于绝缘层表面的源电极、漏电极；B、在绝缘层表面制备修饰层；C、利用溶液法在修饰层表面，形成一有机单晶薄膜作为有源层；其中，有源层为由取向一致的有机单晶组成的有机单晶薄膜。根据本发明的有机单晶薄膜晶体管不仅有利于载流子的传输、提高晶体管性能，还能够实现大面积的快速制备。