专利详情

专利名称	SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法
申请号	CN201510167697.6	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106158933A	公开（授权）日	2016.11.23
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	程新红;夏超;王中健;徐大伟;曹铎;郑理;沈玲燕;王谦;俞跃辉
主分类号	H01L29/49(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/49(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I
专利有效期	SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法至SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供一种SiC-LDMOS功率表器件及其制备方法，包括：P-型衬底；P型外延层；N型外延层；第一沟槽，形成于所述N型外延层之中；绝缘层，填充于所述第一沟槽之内；多个N型多晶硅层，自下而上间隔分布于所述绝缘层中；所述第一沟槽的一侧形成有P-型阱，所述P-型阱中形成有N+型源区及与所述N+型源区相连的P+型层，所述N+型源区表面形成有源极金属，所述N+型源区与所述第一沟槽之间的表面形成有绝缘栅以及栅金属层；所述第一沟槽的另一侧形成有N+型漏区，所述N+型漏区表面形成有漏极金属。本发明可以提高器件耐压，在器件导通时，可以极大的提高漂移区电流，降低器件的导通电阻，提高器件的功率因子。