专利详情

专利名称	利用介质薄膜控制Otto结构中空气隙厚度的方法
申请号	CN201610664021.2	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106091954A	公开（授权）日	2016.11.09
申请（专利权）人	中国科学院上海光学精密机械研究所	发明（设计）人	曾爱军;谷利元;胡国行;黄惠杰;贺洪波
主分类号	G01B11/06(2006.01)I	IPC主分类号	G01B11/06(2006.01)I;B82Y35/00(2011.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	利用介质薄膜控制Otto结构中空气隙厚度的方法至利用介质薄膜控制Otto结构中空气隙厚度的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种利用介质薄膜控制Otto结构中空气隙厚度的方法，当光强反射率R取得最小值时，此时对应的空气隙厚度d₁即为需要镀制的介质薄膜的厚度；采用物理沉积法或化学沉积法在棱镜底面镀制介质薄膜；介质薄膜镀制完成后，采用精密测量仪器测量得出的所镀介质膜层的厚度，即为实际控制的纳米尺度空气隙的厚度。本发明解决了用来产生表面等离子体共振效应的Otto结构中纳米尺度空气间隙厚度难于精确控制的问题。