专利详情

专利名称	纳米阵列结构的离子交换膜、其制备方法及应用
申请号	CN201510109691.3	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106033817A	公开（授权）日	2016.10.19
申请（专利权）人	中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所	发明（设计）人	周小春;顾俊南
主分类号	H01M4/88(2006.01)I	IPC主分类号	H01M4/88(2006.01)I;H01M4/94(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I
专利有效期	纳米阵列结构的离子交换膜、其制备方法及应用至纳米阵列结构的离子交换膜、其制备方法及应用	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种纳米阵列结构的离子交换膜、其制备方法及应用。该制备方法包括：提供具有纳米孔道阵列的模板，纳米孔道阵列由分布在模板上的复数纳米级盲孔组成；将离子导体溶液等填充于模板内并固化成型；以及，去除所述模板，获得所述纳米阵列结构的离子交换膜。进一步的，该离子交换膜可应用于制备单电极核心组件。本发明通过采用单通模板法在离子交换膜上原位制备纳米阵列，尺寸可大范围控制，其中纳米线或纳米管直径＞100nm，长度为10nm?100μm，纳米阵列的离子交换膜面积为0.1cm²?1m²，进一步的，通过并且采用磁性调控催化剂进入纳米缝隙，可大大增加三相界面(电子、质子、物质)，并且可精确控制，且工艺简单，可大规模生产。