专利详情

专利名称	多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法
申请号	CN201510071527.8	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN105990409A	公开（授权）日	2016.10.05
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	王明华;王伟;樊晓华;刘明
主分类号	H01L29/739(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I
专利有效期	多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法至多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开了一种多层隧穿结三维隧穿场效应晶体管的制备方法，所述多方法包括：重掺杂的p型或n型硅与本征或轻掺杂的硅相互交叠生长，形成多层表面隧穿结结构；重掺杂的p型或n型硅在一端互连，作为晶体管的源极，重掺杂的n型或p型硅与本征或轻掺杂的硅相连，作为晶体管的漏极；在所述多层表面隧穿结结构的侧壁及上方生长介质层和栅极材料，形成多栅结构的三维隧穿场效应晶体管。本发明适用于CMOS超大规模集成电路器件，可以实现隧穿场效应晶体管的低亚阈值斜率、低关态电流和低操作电压等特性，同时克服普通隧穿场效应晶体管开态电流低、驱动能力差的缺陷。