石墨烯的生长方法、石墨烯层及半导体器件
- 申请号：CN201510048255.X
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院微电子研究所
- 公开(公开)号：CN105990091A
- 公开(公开)日：2016.10.05
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 石墨烯的生长方法、石墨烯层及半导体器件 | ||
| 申请号 | CN201510048255.X | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN105990091A | 公开（授权）日 | 2016.10.05 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 罗军;亨利·H·阿达姆松;王桂磊;赵超 |
| 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I |
| 专利有效期 | 石墨烯的生长方法、石墨烯层及半导体器件 至石墨烯的生长方法、石墨烯层及半导体器件 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明公开了一种石墨烯的生长方法，包括：提供单晶硅或单晶锗的衬底；在衬底上形成Si1-xGexCy的外延层，其中，0.7≤x<1,0.002≤y≤0.05；采用化学气相沉积的方法，在外延层上生长石墨烯层。该方法具有在锗基衬底上制备石墨烯的优势和特点，并能够承受长时间的高温环境，适宜于采用化学气相沉积的方法制备高质量的石墨烯。 | ||
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