专利详情

专利名称	可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆
申请号	CN201820432955.8	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN208014653U	公开（授权）日	2018.10.26
申请（专利权）人	中国科学院西安光学精密机械研究所;西安中科阿尔法电子科技有限公司	发明（设计）人	张文伟
主分类号	H01L21/66(2006.01)I	IPC主分类号	H01L21/66(2006.01)I;G01R31/26(2014.01)I
专利有效期	可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆至可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆	法律状态
说明书摘要	本实用新型涉及芯片测试领域，具体涉及一种可实现集束晶圆级老化的芯片、晶圆。本实用新型提出的一种可实现集束晶圆级老化的芯片，该芯片可实现集束晶圆级老化处理，免除了芯片Vdd和Vss上出现探针孔的现象，提高了芯片打线的可靠性。本实用新型提出的一种可实现集束晶圆级老化的晶圆设计，晶圆在实现集束晶圆级老化处理时可明显减少探针数量，减小成本，并且可以提高老化处理的可靠性。一种可实现集束晶圆级老化的芯片，包括芯片，还包含两根引线，所述两根引线分别从芯片的Vdd端和Vss端引出至芯片边缘。