专利详情

专利名称	一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件
申请号	CN201721854675.8	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207993870U	公开（授权）日	2018.10.19
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	陆江;刘海南;卜建辉;蔡小五;罗家俊
主分类号	H01L29/78(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I
专利有效期	一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件至一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件	法律状态
说明书摘要	本申请提供的一种抗单粒子能力加固的槽型栅功率器件，涉及半导体器件领域，包括：N+源极，Pwell区域，所述Pwell区域位于所述N+源极的下方；N漂移区，所述N漂移区位于所述Pwell区域的下方；其中，所述N+源极、Pwell区域、N漂移区构成寄生NPN晶体管结构；其中，所述器件还包括：刻槽结构，所述刻槽结构设置在所述N+源极的下方，且在所述刻槽结构的下方区域进行横向扩展，所述横向扩展使得当粒子碰撞产生的空穴流向N+源极时，所述空穴被所述横向扩展收集。达到了在空穴流动路径上提前抽取空穴载流子，大幅度减少在寄生电阻区域流过的空穴电流，从而有效的压制了寄生晶体管的开启，增强了器件抗单粒子能力的可靠性的技术效果。