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同位素制备真空系统及其阀门安装结构

  • 申请号:CN201710682453.0
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院地质与地球物理研究所
  • 公开(公开)号:CN107575640A
  • 公开(公开)日:2018.01.12
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 同位素制备真空系统及其阀门安装结构
申请号 CN201710682453.0 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN107575640A 公开(授权)日 2018.01.12
申请(专利权)人 中国科学院地质与地球物理研究所 发明(设计)人 李铁军
主分类号 F16K51/02(2006.01)I IPC主分类号 F16K51/02(2006.01)I
专利有效期 同位素制备真空系统及其阀门安装结构 至同位素制备真空系统及其阀门安装结构 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本公开涉及一种同位素制备真空系统及其阀门安装结构,其中,所述阀门安装结构包括网格架(1)和至少一个阀门(2),所述网格架(1)包括X轴梁(11)、Y轴梁(12)和Z轴梁(13),所述至少一个阀门(2)通过滑块(3)滑动安装在所述X轴梁(11)或Y轴梁(12)或Z轴梁(13)上,以能够调整所述阀门(2)的空间位置。该阀门安装结构使阀门能够布置在空间上的任意位置,而不限于平面上的某个位置,并且阀门的位置能够根据需要进行调节。

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