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一种原位纳米压制减反增透表面结构及其制备方法

  • 申请号:CN201510555817.X
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:中国科学院理化技术研究所
  • 公开(公开)号:CN106483591A
  • 公开(公开)日:2017.03.08
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种原位纳米压制减反增透表面结构及其制备方法
申请号 CN201510555817.X 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN106483591A 公开(授权)日 2017.03.08
申请(专利权)人 中国科学院理化技术研究所 发明(设计)人 贺军辉;张晓婕
主分类号 G02B1/118(2015.01)I IPC主分类号 G02B1/118(2015.01)I;G03F7/00(2006.01)I
专利有效期 一种原位纳米压制减反增透表面结构及其制备方法 至一种原位纳米压制减反增透表面结构及其制备方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明公开一种原位纳米压制减反增透表面结构及其制备方法。所述表面结构包括含有聚合物成分的基底,或者其上涂覆至少一层含有聚合物成分的涂层的基底,以及位于外表面的具有减反增透性能的单层纳米粒子;所述纳米粒子的一部分嵌入含有聚合物成分的基底,或者嵌入基底最外层的含有聚合物成分的涂层中,另一部分裸露在外;所述纳米粒子的粒径为2nm-1μm;所述纳米粒子的嵌入体积至少为其自身体积的2%。本发明首次提出原位纳米压制技术,并且首次将原位纳米压制技术用于制备减反增透表面结构,无需专门的模板,制备方法简单,大大节约了操作成本,并且所获得的表面结构机械性能优越,能够耐受擦洗,且具有良好的减反增透效果。

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