专利详情

专利名称	一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法
申请号	CN201610695374.9	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106315570A	公开（授权）日	2017.01.11
申请（专利权）人	中国科学院重庆绿色智能技术研究院	发明（设计）人	于乐泳;冯双龙;胡云;孙泰;杨俊;魏大鹏;史浩飞;杜春雷
主分类号	C01B32/186(2017.01)I	IPC主分类号	C01B32/186(2017.01)I
专利有效期	一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法至一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明提供了一种低温快速生长各种类型图形化三维石墨烯的方法，属于电子生产技术和柔性器件制备领域，该方法步骤包括：(1)制作掩模板图形；(2)固定掩模板和生长基底：(3)低温生长三维石墨烯；通过该方法可制备任意形状的三维石墨烯。该方法步骤简单、高效、成本低、环保，且无需进行加热处理，适用于图形化三维石墨烯的产业化生产，同时也可应用于其他二维三维材料的图形化处理。