大气环境下超滑纳米晶-非晶碳薄膜的制备方法
- 申请号:CN201610371967.X
- 专利类型:发明专利
- 申请(专利权)人:中国科学院兰州化学物理研究所
- 公开(公开)号:CN106011794A
- 公开(公开)日:2016.10.12
- 法律状态:实质审查的生效
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专利详情
专利名称 | 大气环境下超滑纳米晶-非晶碳薄膜的制备方法 | ||
申请号 | CN201610371967.X | 专利类型 | 发明专利 |
公开(公告)号 | CN106011794A | 公开(授权)日 | 2016.10.12 |
申请(专利权)人 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 发明(设计)人 | 张俊彦;曹忠跃;强力;张斌 |
主分类号 | C23C16/503(2006.01)I | IPC主分类号 | C23C16/503(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;C23C16/27(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
专利有效期 | 大气环境下超滑纳米晶-非晶碳薄膜的制备方法 至大气环境下超滑纳米晶-非晶碳薄膜的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
说明书摘要 | 本发明公开了一种大气环境下超滑纳米晶?非晶碳薄膜的制备方法,该制备方法包括以下步骤:将预清洁后的硅片放入丙酮、乙醇中超声清洗,然后转移至等离子体增强化学气相沉积设备的真空腔下部基底盘上,基底盘与负偏压电源相连;抽真空直到小于1.0×10?3帕;通入氩气,在直流偏压500~800?V条件下进行等离子体清洗,用以除去表面残留的杂质和污染物;通入甲烷和氮气,在直流偏压780~820?V条件下镀膜20~40分钟;通入甲烷和氢气,在直流偏压为780~820V条件下镀膜90~120分钟。本发明所获得的薄膜呈现了纳米晶?非晶特征,具有较高的硬度和弹性,以及优异的摩擦学性能(摩擦系数可持续维持在0.005左右,磨损率达到了~10?17m3/N/m级别)。 |
交易流程
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