专利详情

专利名称	基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片
申请号	CN201721815749.7	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207938610U	公开（授权）日	2018.10.02
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	冯飞;田博文;李昕欣
主分类号	H01L27/06(2006.01)I	IPC主分类号	H01L27/06(2006.01)I;H01L21/77(2017.01)I;G01N30/66(2006.01)I;G01N30/60(2006.01)I
专利有效期	基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片至基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片	法律状态
说明书摘要	本实用新型提供一种基于SOI的微色谱柱及微热导检测器的集成芯片，包括：SOI硅片，具有衬底硅、埋氧层以及顶层硅；图形化堆叠结构，包含交叉网状结构，其下方具有释放槽，图形化堆叠结构悬挂于释放槽中；盖基片，键合于顶层硅，盖基片具有微沟槽，图形化堆叠结构位于微沟槽内；微色谱柱的微沟道，形成于衬底硅中，微沟道内具有微柱阵列，微沟道与释放槽连通；底基片，键合于衬底硅，以形成包含微沟槽、释放槽及微沟道的微通道。本实用新型的微热导检测器和微色谱柱分别位于SOI硅片的顶层硅和衬底硅上，增加了设计的灵活性和工艺制作的可控性。本实用新型无需额外的连接部件，具有死体积低、灵敏度高等优点。