专利详情

专利名称	基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件
申请号	CN201820359523.9	专利类型	实用新型
公开（公告）号	CN207938616U	公开（授权）日	2018.10.02
申请（专利权）人	中国科学院上海微系统与信息技术研究所	发明（设计）人	沈玲燕;程新红;郑理;张栋梁;王谦;顾子悦;俞跃辉
主分类号	H01L29/778(2006.01)I	IPC主分类号	H01L29/778(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I
专利有效期	基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件至基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件	法律状态
说明书摘要	本实用新型提供一种基于AlGaN/p?GaN沟道的增强型纵向功率器件，该器件包括层叠的GaN衬底、GaN漂移区、GaN阱区以及GaN外延层，所述GaN衬底、GaN漂移区、GaN阱区及GaN外延层的晶向为a轴竖直向上；栅沟槽，穿过n型导电的GaN外延层及p型导电的GaN阱区，并延伸至n型导电的GaN漂移区内；AlGaN层，形成于栅沟槽的底部及侧壁，AlGaN层与p型导电的GaN阱区形成AlGaN/p?GaN异质结沟道；栅介质层；栅极金属层；接触槽，接触槽中填充有金属接触层，金属接触层与GaN阱区形成欧姆接触；上电极以及下电极。本实用新型可有效提高沟道电子迁移率，减小器件导通电阻，同时提高阈值电压实现增强型的器件结构。