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一种纯化碳纳米管薄膜的方法

  • 申请号:CN201610886214.2
  • 专利类型:发明专利
  • 申请(专利权)人:国家纳米科学中心
  • 公开(公开)号:CN106477550A
  • 公开(公开)日:2017.03.08
  • 法律状态:实质审查的生效
  • 出售价格: 面议
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专利详情

专利名称 一种纯化碳纳米管薄膜的方法
申请号 CN201610886214.2 专利类型 发明专利
公开(公告)号 CN106477550A 公开(授权)日 2017.03.08
申请(专利权)人 国家纳米科学中心 发明(设计)人 方英;李红变;史济东
主分类号 C01B32/05(2017.01)I IPC主分类号 C01B32/05(2017.01)I
专利有效期 一种纯化碳纳米管薄膜的方法 至一种纯化碳纳米管薄膜的方法 法律状态 实质审查的生效
说明书摘要 本发明提供了一种纯化碳纳米管薄膜的方法,其目的在于提高碳纳米管薄膜透过率与电导率,所述方法为:(1)将碳纳米管薄膜转移至目标基底;(2)将碳纳米管薄膜与目标基底一并放入加热炉中,于280~320℃下进行退火处理,然后冷却;(3)将碳纳米管薄膜与目标基底置于盐酸中浸泡,然后洗涤吹干,得到纯化后的碳纳米管薄膜。本发明针对碳纳米管薄膜中石墨碳外壳包裹铁颗粒的杂质结构,首先对碳纳米管薄膜样品在空气中高温退火,去除石墨碳,进一步采用盐酸进行浸泡,除掉铁颗粒,最终达到去除杂质,纯化碳纳米管薄膜的效果,处理后的碳纳米管薄膜具有很高的透明度和导电性。本方法可以达到较高的纯化效率,纯化条件温和,简便易操作。

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