专利详情

专利名称	集成纳米结构的MEMS红外光源及其制备方法
申请号	CN201610798788.4	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106374019A	公开（授权）日	2017.02.01
申请（专利权）人	中国科学院微电子研究所	发明（设计）人	明安杰;刘卫兵;李超波;王玮冰;陈大鹏
主分类号	H01L33/00(2010.01)I	IPC主分类号	H01L33/00(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/44(2010.01)I;B81B7/02(2006.01)I
专利有效期	集成纳米结构的MEMS红外光源及其制备方法至集成纳米结构的MEMS红外光源及其制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	本发明公开一种集成纳米结构的MEMS红外光源及其制备方法。所述集成纳米结构的MEMS红外光源包括承载衬底、支撑层、隔离层、图形化金属电极以及纳米材料辐射层；所述纳米材料辐射层覆盖在图形化金属电极上；所述图形化金属电极设于隔离层上方；所述隔离层设于支撑层上方；所述纳米材料辐射层、图形化电极、隔离层、支撑层均悬浮于所述承载衬底上。本发明可以大幅减少热传导通路，降低热质量，提高红外光源的性能；并且避免后续干法释放对结构的损坏，提高了结构稳定性。