一种改善钙钛矿薄膜质量的新方法
- 申请号：CN201510184150.7
- 专利类型：发明专利
- 申请（专利权）人：中国科学院青岛生物能源与过程研究所
- 公开(公开)号：CN106159097A
- 公开(公开)日：2016.11.23
- 法律状态：实质审查的生效
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专利详情
| 专利名称 | 一种改善钙钛矿薄膜质量的新方法 | ||
| 申请号 | CN201510184150.7 | 专利类型 | 发明专利 |
| 公开（公告）号 | CN106159097A | 公开（授权）日 | 2016.11.23 |
| 申请（专利权）人 | 中国科学院青岛生物能源与过程研究所 | 发明（设计）人 | 逄淑平;崔光磊;周忠敏;王在伟;徐红霞;刘志宏;常悦 |
| 主分类号 | H01L51/48(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/48(2006.01)I |
| 专利有效期 | 一种改善钙钛矿薄膜质量的新方法 至一种改善钙钛矿薄膜质量的新方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 |
| 说明书摘要 | 本发明涉及一种改善钙钛矿薄膜的新方法。本发明属于薄膜材料的制备方法，其特征为将钙钛矿薄膜经有机胺气体或者有机胺溶液处理一定时间，来改善钙钛矿薄膜的质量，经处理可有效修复钙钛矿薄膜的缺陷，降低表面粗糙度，提高成膜性。这种工艺制备的钙钛矿薄膜厚度均一，粗糙度低，结晶性好，并且这种工艺操作简单，成本低廉，适合应用于大面积制备高效的钙钛矿太阳能电池，发光二极管，光敏元件和激光器件。 | ||
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