专利详情

专利名称	L1₀?MnGa或MnAl基宽线性响应磁敏传感器及制备方法
申请号	CN201610496714.5	专利类型	发明专利
公开（公告）号	CN106129244A	公开（授权）日	2016.11.16
申请（专利权）人	中国科学院半导体研究所	发明（设计）人	鲁军;赵旭鹏;毛思玮;朱礼军;赵建华
主分类号	H01L43/08(2006.01)I	IPC主分类号	H01L43/08(2006.01)I;H01L43/10(2006.01)I;H01L43/12(2006.01)I
专利有效期	L1₀?MnGa或MnAl基宽线性响应磁敏传感器及制备方法至L1₀?MnGa或MnAl基宽线性响应磁敏传感器及制备方法	法律状态	实质审查的生效
说明书摘要	一种L1₀?MnGa或MnAl基宽线性响应磁敏传感器，包括：一基片，为后续生长的多层膜提供外延基础；一平滑层，其制作在基片上，提供良好的界面平整度和晶格匹配；一参考磁性层，其制作在平滑层上，拥有高晶体质量；一中间层，其制作在参考磁性层上；一探测磁性层，其制作在中间层上，外延生长；一覆盖层，其制作在探测磁性层上，起到保护薄膜的作用。本发明提供一种工艺简单、低成本、宽线性响应范围和高灵敏度的磁敏传感器。

交易流程

1、源头对接，价格透明

2、平台验证，实名审核

3、合同监控，代办手续

4、专员跟进，交易保障

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